测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流 IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，封装用IGBT测试仪，方便操作使用。华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。5、感性负载5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，封装用IGBT测试仪加工，以计算电流源的极限，封装用IGBT测试仪价格，限制脉宽到1000us）。6、标准的双控制极驱动6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；6.5 电压开关时间： < 50ns；6.6 输出内阻： < 0.5Ω； 华科分立器件测试仪-封装用IGBT测试仪加工由深圳市华科智源科技有限公司提供。01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
