华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,封装用IGBT测试仪价格,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至1600A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,封装用IGBT测试仪加工,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,封装用IGBT测试仪现货供应,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现的在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;当这两个参数通过后,便表示元件基本上良好,再进一步作其他参数的测量,以分辨其中的优劣。近两年IGBT测试仪持续火爆,新能源汽车,轨道交通,风力发电等等都需要大量的IGBT模块,封装用IGBT测试仪,所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪,可以测试1200A,5000V以内的IGBT模块,基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了,我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数,对一些检修,维护领域的工作有比较好的帮助,目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪,包括动态测试仪,与的设备也可以放在一起竞争了,而且我们不怕竞争,这对我们是一种促进。 技术要求3.1整体技术指标3.1.1 功能与测试对象*1)功能GBT模块动态参数测试。*2)测试对象被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。什么是大功率半导体元件?其用途为何? 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试,在IGBT的检测中,采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。 封装用IGBT测试仪加工-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展,目前华科智源在电子测量仪器中享有良好的声誉。华科智源取得全网商盟认证,标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展,共创美好未来。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns。 产品:华科智源供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单