华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，封装用IGBT测试仪价格，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至1600A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，封装用IGBT测试仪加工，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，封装用IGBT测试仪现货供应，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现的在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。近两年IGBT测试仪持续火爆，新能源汽车，轨道交通，风力发电等等都需要大量的IGBT模块，封装用IGBT测试仪，所以我们华科智源推出了大功率IGBT测试仪，可以测试1200A，5000V以内的IGBT模块，基本可以涵盖现阶段的IGBT模块的测试了，我们IGBT测试仪还可以在线检测模块的电性能参数，对一些检修，维护领域的工作有比较好的帮助，目前国内我们华科智源不光是IGBT静态测试仪，包括动态测试仪，与的设备也可以放在一起竞争了，而且我们不怕竞争，这对我们是一种促进。 技术要求3.1整体技术指标3.1.1 功能与测试对象*1）功能GBT模块动态参数测试。*2）测试对象被测器件IGBT模块动态参数。测试温度范围 Tj=25°及125°。3.1.2 IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。 封装用IGBT测试仪加工-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司位于深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前华科智源在电子测量仪器中享有良好的声誉。华科智源取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。华科智源全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降时间 10～1000ns 10~200±2%±2ns。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
