IRF5305STRLPBF
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: - 31 A
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
Pd-功率耗散: 110 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: International Rectifier
工厂包装数量: 800
IRF5305SPBF
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
制造商: International Rectifier
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: - 31 A
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Tube
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 63 ns
小工作温度: - 55 C
上升时间: 66 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 39 ns
IRF5305STRRPBF
制造商:
International Rectifier
说明：
MOSFET 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
Id-连续漏极电流: - 31 A
Vds-漏源极击穿电压: - 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 60 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: International Rectifier
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 63 ns
小工作温度: - 55 C
上升时间: 66 ns
工厂包装数量: 800
典型关闭延迟时间: 39 ns
