测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求。 半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，封装用IGBT测试仪加工，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。3-2002印制板的设计和使用
GB/T9969-2008工业产品使用说明书总则
GB/T6988-2008电气技术用文件的编制
GB/T3859。每个电流模块，封装用IGBT测试仪，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，封装用IGBT测试仪批发，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，封装用IGBT测试仪现货供应，设备不运行时，被测接地。?电流能力DC 50A?隔离耐压15kV?响应时间150ms?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%14）工控机及操作系统用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：?机箱：4Μ 15槽上架式机箱；?支持ATX母板；?CPΜ：INTEL双核；?主板：研华SIMB；?硬盘：1TB；内存4G；?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；?集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。5环境湿度：50%±20%（相对湿度）4、动态测试基本配置4。?西门子PLC逻辑控制3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA； 封装用IGBT测试仪批发-华科半导体器件测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。封装用IGBT测试仪批发-华科半导体器件测试仪是深圳市华科智源科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
