NR9-250P
20．有没有光刻胶PC3-6000的资料吗？
A PC3-6000并不是光刻胶，它是用在chip
on glass 上的胶粘剂。
21．是否有Wax替代品？
A PC3-6000可替代Wax做晶片和玻璃的固定，比较容易去除掉。
22．贵公司是否有粘接硅衬底和衬底的材料？
A 有，IC1-200就是
23．请问是否有不用HMDS步骤的正性光刻胶？
A 美国Futurrex 整个系列的光刻胶都不需要HMDS步骤，都可以简化。
24．一般电话咨询光刻胶，我们应该向客户咨询哪些资料？
A 1 需要知道要涂在什么材质上，2
还有要知道需要做的膜厚，3
还要知道光刻胶的分辨率
4还有需要正胶还是负胶，5
需要国产还是进口的
27．想找一款膜厚在120um，的光刻胶，NR7 6000PY光刻胶价格，有什么光刻胶可以做到啊！
A 以前有使用过美国有款光刻胶可以达到Futurrex
NR21-20000P ，。
28．有没有了解一款美国Futurrex
NR9-250P的光刻胶，请教下？
A 这是一款负性光刻胶，湿法蚀刻使用的，附着力很好，耐100度的温度，国内也有可以代理的公司，Futurre
光刻胶是世界第4大的电子化学品制造商，在光刻胶的领域有着不错的声誉，NR7 6000PY光刻胶报价，在太阳能光伏，和LED半导体行业都有不错的市场占有率。
29．想找款膜厚的产品，进行蚀刻，有什么好推荐？
A 厚膜应用（thick
film applicati），主要是指高纵横比（Aspect
ratios），高分辨率，高反差，NR7 6000PY光刻胶，有几款产品向你推荐一下《NR4-8000P，NR2-20000P，NR5-8000，这些产品都需要用到边胶清洗液》
的光刻
光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
市场
目前，光刻胶单一产品市场规模与海外巨头公司营收规模相比较小，光刻胶仅为大型材料厂商的子业务。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。
由于光刻胶产品技术要求较高，光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，NR7 6000PY光刻胶哪里有，其技术基本被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公司，包括陶氏化学、JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业。
而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。
赛米莱德-NR7 6000PY光刻胶由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。 北京赛米莱德贸易有限公司为客户提供“光刻胶”等业务，公司拥有“赛米莱德”等，专注于工业制品等行业。，在北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：苏经理。
产品：赛米莱德
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单