测试的IGBT参数包括:ICES(漏流)、BVCES(耐压)、IGESF(正向门极漏流)、IGESR(反向门极漏流)、VGETH(门槛电压/阈值)、VGEON(通态门极电压)、VCESAT(饱和压降)、ICON(通态集极漏流)、VF(二极管压降)、GFS(跨导)、rCE(导通电阻)等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。1)可调充电电压源用来给电容器充电,实现连续可调的直流母线电压,满足动态测试、短路电流的测试需求。 半导体元件全自动测试系统,可以元件在真正工作状态下的电流及电压,并测量重要参数的数据,再与原出厂指标比较,变频器用IGBT测试仪厂家,由此来判定元件的好坏或退化的百分比。3半导体变流器变压器和电抗器
GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。每个电流模块,变频器用IGBT测试仪现货供应,都具有独立的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用; 可选购外部高压模块,执行关闭状态参数测试如:各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。 公司拥有一批长期从事自动控制与应用、计算技术与应用、微电子技术、电力电子技术方面的人才。7测试夹具
1、控制方式:气动控制
2、控温范围:室温—150℃室温—125℃±1。公司装备精良,变频器用IGBT测试仪批发,具有的检测手段,产品生产严格按照ISO9001∶2008标准质量管理体系运行,其、技术及工艺方面保持国内,部分产品达到国外同类产品的水平。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业,部分产品出口到欧美等发达。为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换?当功率元件老化时,元件的内阻在导通时必定会加大,变频器用IGBT测试仪,因而使温度升高,并使其效能降低。长期使用后若温升过高时,会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。因此,测量大电流情况下的各个模块实际技术参数,进行跟踪管理,可有效保障机车中间直流环节可靠运行。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加),进而使半导体的接口产生大量崩溃,而将此元件完全烧毁。当元件损毁时,会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤,所以,必须即早发现更换。 变频器用IGBT测试仪批发-华科检测用IBGT由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司为客户提供“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”等业务,公司拥有“华科智源,HUSTEC,”等,专注于电子测量仪器等行业。测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。,在深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606的名声不错。欢迎来电垂询,联系人:陈少龙。 产品:华科智源供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单