测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数， 所有小电流指标保证1%重复测试精度， 大电流指标保证2%以内重复测试精度。主要参数 测试范围 精度要求 测试条件Vce集射极电压 150～3300V 150～500V±3%±1V。 半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。每个电流模块，都具有独立的供电系统，变频器用IGBT测试仪厂家，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用；测试工作电压：10kV（整体设备满足GB19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求）18）其他辅件。 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。 3、技术指标*3.1机台可测试器件类型二极管、MOSFET、IGBT单管及模组*3.2机台可测IGBT项目及测试范围VGE(th)栅极阈值电压VCES集射极截止电压ICES集射极截止电流VCE(sat)饱和导通压降Iges栅极漏电流VF二极管导通电压可以测5000V，1600A以下的IGBT模块*3.3机台可测MOS项目Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3.4测试项目测量范围测试条件与精度*3.5 VGE(th)栅极阈值电压0.1～10VVGE：0.1～10V±1%±0.01V；解析度：0.01V集电极电流Ic：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；关断时间测试参数：
1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns
2、关断延迟时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns
3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns
4、关断能量：0。IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，变频器用IGBT测试仪，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，变频器用IGBT测试仪现货供应，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，电子版一份；本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。（正本、副本）技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。 变频器用IGBT测试仪-华科IGBT测试设备由深圳市华科智源科技有限公司提供。“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”选择深圳市华科智源科技有限公司，公司位于：深圳市宝安区西乡街道智汇中心B座606，多年来，华科智源坚持为客户提供好的服务，联系人：陈少龙。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。华科智源期待成为您的长期合作伙伴！1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
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