含量控制.采用磷酸基化学抛光槽液时，含量应控制在规定的范围内，通常按照化学分析结果调整，特别要掌握添加的规律，并安全操作.有经验的化学抛光操作人员，可以从化学抛光表面光亮度判明含量，通常，的消耗量为化学抛光槽液消耗量的1%~2%（体积分数）.若不及时补加，铝合金型材表面会出现光亮度不足等现象.如果含量太低，可以看到化学抛光后的铝合金型材光亮度不满意或看到细小的白色附着物斑点等缺陷.若含量太高，可能出现浅蓝色至橙色彩虹膜.
铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件
(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷，以确保产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少，铝合金型材间距要加大，混凝剂，倾斜度要加大，使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积，避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大，化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上，有可能使铝合金型材或导电杆上浮，铝合金型材浮出液面部分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分，造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.必要时，减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料，确保装饰面上的气体尽快逸出.
多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，化拋剂，配合高分散性配方，除磷剂，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液（CMP抛光液）是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。
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