测量目的：对模块的电压降参数进行检测， 可判断模块是否处于正常状态。2反向恢复技术条件
测试参数：
1、Irr(反向恢复电流)：50～1000A
50～200A±3%±1A
200～1000A±3%±2A
2、Qrr(反向恢复电荷)：1～1000uC
1～50uC±5%±0。功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，变频器用IGBT测试仪厂家，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，变频器用IGBT测试仪加工，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，变频器用IGBT测试仪，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。IGBT模块VCE-IC特线（单管），变频器用IGBT测试仪批发，Vcesat随电流变大而增大。 8）高压大功率开关?电流能力200A?隔离耐压10kV?响应时间150ms?脉冲电流20kA（不小于10ms）?工作方式气动控制?工作气压0.4MPa?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%9）尖峰抑制电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?分布电感小于10nH?脉冲电流200A ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%静态及动态测试系统技术规范供货范围一览表序号名称型号单位数量1半导体静态及动态测试系统HUSTEC-2010套11范围本技术规范提出的是限度的要求，并未对所有技术细节作出规定，也未充分引述有关标准和规范的条文，供货方应提供符合工业标准和本技术规范的产品。400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns。本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。 变频器用IGBT测试仪-华科IGBT静态参数由深圳市华科智源科技有限公司提供。工作湿度 13）被测器件旁路开关被测安全接地开关，设备不运行时，被测接地。深圳市华科智源科技有限公司实力不俗，信誉可靠，在广东 深圳 的电子测量仪器等行业积累了大批忠诚的客户。华科智源带着精益求精的工作态度和不断的完善理念和您携手步入，共创美好未来！ 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
