3.6VCES集射极截止电压0~5000V集电极电流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~50mA±1%±0.1mA;集电极电压VCES:0-5000V±1.5%±2V;半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益。*3.7 ICES集射极截止电流0.01~50mA集电极电压VCES:50~500V±2%±1V;500~5000V±1.5%±2V;集电极电流ICES:0.001~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~150mA±1%±0.1mA;*3.8VCE(sat)饱和导通压降0.001~10V集电极电流ICE:0-1600A集电极电压VCEs:0.001~10V±0.5%±0.001V栅极电压Vge:5~40V±1%±0.01V集电极电流ICE:0~100A±1%±1A;100~1600A±2%±2A;*3.9Iges栅极漏电流0.01~10μA栅极漏电流IGEs:0.01~10μA±2%±0.005μA栅极电压Vge:±1V~40V±1%±0.1V;Vce=0V;*3.10VF正向特性测试0.1~5V二极管导通电压Vf:0.1~5V±1%±0.01V电流IF:0~100A±2%±1A;100~1600A±1.5%±2A; ?航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;?机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对?现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;?水力、电力控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,封装用IGBT测试仪加工,尤其对现代新?型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,封装用IGBT测试仪现货供应,?以确保出厂产品的稳定性、可靠性。?优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。3.3主要技术要求3.3.1 动态参数测试单元技术要求3.3.1.1 环境条件1)海拔高度:海拔不超过1000m;2)温度:储存环境温度 -20℃~60℃;3)工作环境温度: -5℃~40℃;4)湿度:20%RH 至 90%RH (无凝露,封装用IGBT测试仪,湿球温度计温度: 40℃以下);5)震动:抗能力按7级设防,地面抗震动能力≤0.5g;6)防护:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等空气污染的损害; 华科IGBT静态参数-封装用IGBT测试仪价格由深圳市华科智源科技有限公司提供。6)防护:无较大灰尘,腐蚀或性气体,导电粉尘等空气污染的损害。深圳市华科智源科技有限公司是广东 深圳 ,电子测量仪器的见证者,多年来,公司贯彻执行科学管理、发展、诚实守信的方针,满足客户需求。在华科智源领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创华科智源更加美好的未来。 产品:华科智源供货总量:不限产品价格:议定包装规格:不限物流说明:货运及物流交货说明:按订单