IGBT静态参数测试部分主要材料技术要求1）阈值电压测试电路阈值电压测试电路（仅示出IEC标准测试电路）?9A±3%±50mA
10A～50A±3%±1A
3、EA：10mJ～20J
10mJ～1000mJ±3%±1mJ
1J～20J±3%±10mJ
4、脉冲宽度：40—1000uS可设定
5、测试频率：单次
2。满足表格9测试参数要求?低压开关电源要求：Vcc=12V (针对上图电路)?可调电源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集电极电流测试电路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射极截止电压/集射极截止电流测试电路集射极截止电压/发射极截止电流测试电路?高压充电电源：10~2kV连续可调?支撑电容：额定电压2kV?集电极电流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集电极电压VCES：200～1500V±2%±1V 现今Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及IGBT（绝缘栅型场效应晶体管）已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导地位。由于科技进步，大功率IGBT测试仪价格，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ，带动MOSFET及IGBT的发展，大功率IGBT测试仪加工，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换.400~20000nCtd(on)、td(off)开通/关断延迟 10～1000ns 10~200±2%±2ns。...等领域，大功率IGBT测试仪，使半导体开发技术人员在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。三、华科智源IGBT测试仪系统特征：A：测量多种IGBT、MOS管 B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围>10VF：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，大功率IGBT测试仪现货供应，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；3半导体变流器变压器和电抗器
GB/T4023-1997半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管。 大功率IGBT测试仪-华科IGBT开关测试由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
