IGBT动态参数测试系统技术要求1、设备概述该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他必要的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他必要的技术文件，所有资料必须准备（正本、副本）各一份，检修用IGBT测试仪厂家，电子版一份；3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。（正本、副本）技术资料，检修用IGBT测试仪批发，应至少有一份采用中文，检修用IGBT测试仪，另一份技术资料可以是英文或中文。 产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。5雪崩技术条件
1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V
2、Ic：1A～50A
1A～9。5、感性负载5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。6、标准的双控制极驱动6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；6.5 电压开关时间： < 50ns；6.6 输出内阻： < 0.5Ω； 检修用IGBT测试仪加工-华科轨道交通IGBT由深圳市华科智源科技有限公司提供。6双电流脉冲的设置：Vcc,Ic,电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)。深圳市华科智源科技有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！ 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
