3、系统基本参数3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS； 3.2 加热功能：室温～150℃； 3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD； 3.4 环境温度：25℃±15℃； 3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）4、动态测试基本配置4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V； 4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A 感性负载； 4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic， 电感值（自动计算脉宽）；4.6 双电流脉冲的设置： Vcc， Ic， 电感值，封装用IGBT测试仪批发，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（感性动态测试）。 什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，封装用IGBT测试仪加工，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，封装用IGBT测试仪，均可属于大功率的范围。如下图片所示。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。产品主要有电力半导体器件、组件、模块（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等）的检测及可靠性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。 封装用IGBT测试仪批发-华科IGBT测试仪由深圳市华科智源科技有限公司提供。深圳市华科智源科技有限公司在电子测量仪器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，华科智源一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创。1有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能切断高压电源。相关业务欢迎垂询，联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
