5、感性负载5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH；5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A；外部电感成阵列的内部连接。（外部电感的H值传给PC，检修用IGBT测试仪厂家，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。6、标准的双控制极驱动6.1 门极电阻可人工预先设定如：2.5Ω，5Ω，检修用IGBT测试仪，10Ω等；6.2 开启（Trun-ON）输出电压 Vge+ ： +15V；6.3 关断（Trun-ON）输出电压 Vge- ： -15V；6.4 脉宽： 10 ~ 1000us （单脉冲、双脉冲总时间）；6.5 电压开关时间： < 50ns；6.6 输出内阻： < 0.5Ω； 华科智源IGBT测试仪制造标准华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对。GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）GB 13869-2008 用电安全导则GB19517-2004 电器设备安全技术规范GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）GB/T 191-2008 包装储运图示标志GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件GB/T 2423 电工电子产品环境试验GB/T 3797-2005 电气控制设备GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管9）尖峰抑制电容用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。?电容容量200μF?4验收和测试
3)验收试验应在-10～40℃环境温度下进行，验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。分布电感小于10nH?脉冲电流2kA ?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 11）动态测试续流二极管用于防止测试过程中的过电压。?反向电压 8000V(2只串联)?-di/dt大于2000A/μs?通态电流 1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μs?工作温度室温～40℃?工作湿度<70%12）安全工作区测试续流二极管?反向电压12kV(3只串联)?-di/dt大于2000A/μS?通态电流1200A?压降小于1V?浪涌电流大于20kA?反向恢复时间小于2μS?工作温度室温～40℃?工作湿度<70% 检修用IGBT测试仪现货供应-华科便携式测试台由深圳市华科智源科技有限公司提供。功率元件由于经常有大电流往复的冲击，对半导体结构均具有一定的耗损性及破坏性，若其工作状况又经常在其安全工作区的边缘，更会加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一样是不可避免的问题。深圳市华科智源科技有限公司是从事“IGBT测试仪,功率器件测试仪,首件检测仪”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：陈少龙。 产品：华科智源供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
