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MOS管理论图与实物有什么区别？
MOS管结构示意图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，原装现货供应，从而区分了源极和漏极。实际的元件，24N50原装现货供应，p型的，衬底是接正电源的，使得栅极预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅极不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，25N120原装现货供应，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。
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ASEMI 10N60MOS场效应管 10A 600V 插件封装类型
型号：10N60
封装：TO-220AB
漏极电流（VDS）：10A
漏源电压（ID）：600V
工作温度：-55℃~150℃
种类：N沟道增强型场效应管
：ASEMI
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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MOS管（MOSFET）的发热情况：
1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的忌讳的错误。
2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。
3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
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产品：ASEMI
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
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交货说明：按订单