ASEMI低压降肖特基二极管10V45
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ASEMI低压降肖特基二极管10V45，电性参数为10A 45V，肖特基二极管，是手机充电器，ASEMI半导体采用的第三代芯片制造工艺，所产芯片性能稳定，靠性高，目前ASEMI半导体拥有的半导体生产工艺和台湾健鼎一体化自动测试设备，产品合格率达99%。
ASEMI低压降肖特基二极管作为未来高频整流器件采纳的典型代表，越来越多的被电源工程师门认可。那么问题了，为什么越来越多的客户愿意选择ASEMI低压降二极管呢？其实台湾ASEMI作为低压降肖特基二极管行业旗帜。
ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT
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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，肖特基二极管型号，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向恢复时间短，速度快，有效防止浪涌，肖特基二极管参数，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向恢复时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.
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ASEMI半导体15V45是一款采用277封装的低压降肖特基产品，这款产品的设计优势对于体积大幅压缩，有效缩小应用产品的体积空间。ASEMI半导体15V45压降控制在0.38V的压降是应用在高频率充电器产品的较好选择。目前市面上已经有华为、小米等公司的充电器产品采用此款封装的低压降肖特基二极管成功应用案例。高超的工艺与电性表现使得ASEMI半导体15V45低压降二极管行业持续高增。
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