铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件
(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷，以确保产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少，铝合金型材间距要加大，倾斜度要加大，使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积，避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大，化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上，有可能使铝合金型材或导电杆上浮，两酸抛光配方，铝合金型材浮出液面部分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分，造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.必要时，减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料，确保装饰面上的气体尽快逸出.
使用方法：1． 使用 工艺处理浓度: 建议控制条件 理想值Risr- B709 原液使用 原液使用处理温度 &nbs p; 65-75℃ 70℃处理方法 &nbs p; 搅拌浸泡处理时间 &nbs p; 5-10分钟 5min注：使用前 采用恒温加热35℃和均匀的搅拌，建议采用石英加热器加热。2． 处理流程工件脱脂 水洗 侵入化抛剂 清洗（2-3次） 烘干或后处理工序。建 浴：1、清槽 建议使用钢体结构内衬PP或PE材料，首先使用 碱液清洗后再使用盐酸清洗，再用清水清洗2-3遍，后使用纯水清洗一遍；2、配制 原液使用。废水处理：废水处理按常规化学品处理，同时应遵循 有关的化学应用规则，注意事项：在接触化学品时，必须阅读、理解和遵循MSDS上 的急救和处理建议。贮存时注意：贮存处应阴凉、干燥、避光。
这两个概念主要出半导体加工过程中，的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，两酸抛光工艺，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，两酸抛光，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。
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