ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT
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ASEMI低压降肖特基二极管SB20100LCT
●【ASEMI】代表本产品的 台湾ASEMI
●【SB20100LCT】代表本产品的完整型号
●【SB-L】代表V版低压降肖特基二极管
●【20】代表其正向电流为20A
●【100】代表其反向耐压为100V
●【CT】代表其封装是TO-220AB半塑封





台湾ASEMI的肖特基二极管,对于任何肖特基二极管,在设计时都存在一个取舍。即设备要么针对低VF进行优化,要么针对低IR进行优化。但是VF和IR都会随温度变化而改变。当温度升高,VF会降低,在二极管升温的同时降低了热扩散。
MBR10200CT肖特基二极管,台湾ASEMI
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MBR10200CT 肖特基二极管,台湾ASEMI,其电性参数为10A,200V,封装为:TO-220封装,芯片采用的是2个86MIL的俄罗斯进口Mikron芯片,印字采用的是镭射激光打标,不易退色。




ASEM仍然坚持自己的原则,肖特基二极管,坚持执行优方针,努力做到“产品精益求精”,满足客户并超越客户的需求,与客户携手同行,走向成功之路。
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ASEMI肖特基MBR60200PT的外观,本节我们以它为列,通过讲解其各项参数,肖特基二极管参数,会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解,二极管肖特基,为了更直观方便的说明,我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说:

下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档,我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压
Average Rectified Forward Current ——平均整流正向电流
Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻(每条腿)
Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流
Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流
Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率(额定VR)
Operating Junction Temperature—— 工作温度
Storage Temperature ——储存温度


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