UD6KB100整流桥ASEMI
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UD6KB100整流桥ASEMI这个型号，因为它属于6A1000V的电性参数、高频低能耗，对产品的质量和性能要求当让就比普通型号的整流桥要求更多。而ASEMI的真“芯”就是这款产品的突出优势之一，就是指ASEMI的UD6KB100使用的是的大芯片，内含德颗足足有88mil的GPP工艺芯片在一体化机械操作下一次封装成型，严格按照质量要求、测试规定生产，才造就了UD6KB100的硬！
整流桥堆参数封装MB10M整流桥ASEMI
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MB10M来说，'MB'所代表的意义是整流桥黑胶塑封的规格大小，也就是封装的规格情况，寿光整流桥堆参数封装，后面的一个“M”就是说明引脚的外观。MB10M就是采用了MBM-4的封装外观，充电器整流桥堆参数封装，“M”指示的意义是直插，因此我们可以初步了解到MB10M是一款小体积的插件整流桥。
MB10M当中的数字要如何解释呢？这就要讲到一款整流桥的电性参数。整流桥MB10M，充电桩整流桥堆参数封装，它的电性参数是：正向电流（Io）为0.5A，反向耐压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40°~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，其中有4条引线。对照看下来，我们就能够找出规律，在MB10M这款整流桥中“10”这个数字就代表着反向耐压的数值。
整流桥堆参数封装
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ASEMI整流桥MB10F型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm。正向电流（Io）为0.5A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，芯片尺寸都是50MIL，低压降整流桥堆参数封装，它的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-55~+150℃，恢复时间达到500ns。
从它的体积参数当中我们可以看出，这一款产品比较小，所以它的散热问题是需要我们重视的一个方面，采用扁平设计就是考虑到它的这一方面问题，而且MB10F采用薄设计，这种设计可以增大导热性能，因为密封的黑胶其本身散热性能并不是很好，那怕我们采用透气与散热性好的树脂，但这种是材料本身性能的问题，另外一点，它的引脚亦是采用的扁平设计，这种设计的原理也是增大其散热性能的，另外，引脚的铜材料的纯度也是影响其散热的一个因素，因为导体本身的导热性是比较不错的，其性能与铜引脚纯度成正比。
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