大功率整流桥堆ABS210贴片整流桥2A1000V
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【ABS210】代表本产品的完整型号；【ABS】为本产品的封装方式；数字【 2 】代表其正向电流为2A；后缀【10】代表其反向耐压为1000V；【长度】： 8.32mm【高度】：4.5mm【脚长度】：8.25mm；ASEMI半导体产品之所以深受电源厂家的青睐，就因为ASEMI全部采用波峰GPP工艺的芯片材料制作。
采用健鼎与冠魁等设备进行一体化封装，保证出厂的每一个产品都能让客户放心满意。工厂从前端芯片、框架、环氧塑封以及无铅焊片到后端引线电镀，大功率整流桥堆台产芯片，均采用环保材料。
ASEMI专注电源整流领域12年，台资企业拥有170人的研发团队和8500㎡的生产车间。28条台湾健鼎测试线，确保每一颗产品都进过严苛的检验环节，保证出厂良品率。产品生产工艺好，好，稳定性格实惠，。
ABS10
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ABS10芯片尺寸都是50MIL，它的电性参数是：正向电流（Io）为1.0A，永州大功率整流桥堆，反向电压为1000V，大功率整流桥堆GPP芯片，正向电压（VF）为1.1V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40~+150℃，里面引线数量有4条。
ASEMI的ABS10内部采用玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防电性衰降， 每一颗芯片的尺寸都足足有50MIL，虽然说依照产业标准生产出来的ABS10电性参数都是正向电流1.0A。
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ASEMI整流桥MB10F型号它的脚间距为2.5mm，整体长度为4.7mm，高度为1.5mm，厚度为0.6mm，其本体宽度为4.0mm，脚厚度为0.25mm。正向电流（Io）为0.5A，反向电压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，采用GPP芯片材质，里头有4个芯片，芯片尺寸都是50MIL，它的浪涌电流Ifsm为35A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-55~+150℃，恢复时间达到500ns。
从它的体积参数当中我们可以看出，这一款产品比较小，大功率整流桥堆原装，所以它的散热问题是需要我们重视的一个方面，采用扁平设计就是考虑到它的这一方面问题，而且MB10F采用薄设计，这种设计可以增大导热性能，因为密封的黑胶其本身散热性能并不是很好，那怕我们采用透气与散热性好的树脂，但这种是材料本身性能的问题，另外一点，它的引脚亦是采用的扁平设计，这种设计的原理也是增大其散热性能的，另外，引脚的铜材料的纯度也是影响其散热的一个因素，因为导体本身的导热性是比较不错的，其性能与铜引脚纯度成正比。
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