依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，三酸抛光工艺，则表面产生高损伤层。
铝合金型材表面化学抛光操作和工艺条件
(1)装料.化学抛光的铝合金型材在装料前需要核对铝合金型材的纯度、化学成分、外观.外观应无擦伤、划伤、腐蚀等缺陷，以确保产品获得满意的光亮度.装料量应比阳极氧化时的少，铝合金型材间距要加大，倾斜度要加大，使气体尽快逸出.装料时要防止铝合金型材表面气体累积，避免形成气体缺陷.化学抛光槽液的相对密度很大，化学抛光时刚形成的气体暂时附着在铝合金型材表面上，三酸抛光厂家，有可能使铝合金型材或导电杆上浮，三酸抛光价格，铝合金型材浮出液面部分隔热铝合金窗的化学抛光就不充分，造成在同一挂料中出现光亮度不均匀的现象.必要时，减少装料量或采用大型加重的导电梁防止铝合金型材上浮.对高光亮度要求的装饰面应该向外垂直装料，确保装饰面上的气体尽快逸出.
化学抛光：
可用于仪器制造、铝型材铝质反光镜的制造，以及其他零件和镀层的装饰性加工.同电解抛光比较，化学抛光的优点是：不需外加电源，可以处理形状更为复杂的零件，三酸抛光，生产等.但是化学抛光的表面质量，一般略电解抛光，溶液的调整和再生也比较困难，往往抛光过程中会析出氧化氮等有害气体。其实这点现在的技术也已经解决，市面上有如两酸化学抛光高光光亮剂等抛光试剂，其不含，不会产生有危害的黄烟
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