基本原理：
金属试样表面各组成相的电化学电位不同，形成了许多微电势，在化学溶液中会产生不均匀溶解。在溶解过程中试样面表层会产生一层氧化膜，试样表面凸出部分由于粘膜薄，金属的溶解扩展速度较慢，抛光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能达到十分理想的要求。在低和中等放大倍数下利用显微镜观察时，这种小的起伏一般在物镜垂直鉴别能力之内，仍能观察到十分清晰的组织
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。（2）抛光表面反应物脱离硅单晶表面，抛光剂销售，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。
由于铝和铝合金的易加工性能以及其表面经过处理后的高耐腐蚀性能，越来越多的铝合金制品被用于民用和工业用品中。为了提高铝合金制品的装饰性能，需要对其表面进行各种处理，其中化学抛光是一种赋于铝合金表面靓丽的处理工艺。
传统的三酸化学抛光液是由70％磷酸、20％硫酸、10％组成。在这种抛光液中是充当一种缓蚀剂的作用，抛光剂生产商，具有氧化性在使用时与铝进行反应而被还原成棕黄色的二氧化氮气体，抛光剂，二氧化氮对操作人员的呼吸系统会造成严重的伤害，同时二氧化氮也腐蚀工厂里内的机械设备。另外由于三酸抛光作业一般在100℃左右进行，易挥发和分解，抛光剂哪家好，通常的消耗速度过快，需频繁的对其含量进行分析和补加，造成铝合金工件批次间的光泽波动较大，也不利于自动线连续性操作。
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