霍尔压力传感器 霍尔压力传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应制成的。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。 在导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得导线中的电子受到洛伦兹力而聚集，从而在电子聚集的方向上产生一个电场，此电场将会使后来的电子受到电力作用而平衡掉磁场造成的洛伦兹力，使得后来的电子能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。 当磁场为一交变磁场时，VP211-14T-H2100压力变送器，霍尔电动势也为同频率的交变电动势，建立霍尔电动势的时间极短，故其响应频率高。常用霍尔元件的材料大都是半导体，包括N型硅(Si)、锑化铟(InSb)、铟InAs)、锗(Ge)、GaAs)及多层半导体质结构材料。 压力传感器的工作原理压力阻式力传感器：电阻应变片是压阻式应变传感器的重要部件之一。应变电性金属电阻的工作原理是吸附于基体材料上的应变电阻与机械变形时的阻值变化，这一现象被称为电阻应变效应。 瓷质压力传感器：基于压阻效应，这种压力直接作用于陶瓷膜片的前面，使膜片产生微小变形，所述厚膜电阻印于背面，在惠斯通电桥的连结过程中，由于压敏电阻的压阻效应，电桥产生一个与压力成正比的电压信号，并与激励电压成正比。根据压力量程的不同，标准信号标定为2.0/3.0/3.3mV/V等，可与应变传感器兼容。 散射硅压敏传感器：扩散硅压力传感器的工作原理也是基于压阻效应，利用压阻效应原理，将被测介质的压力直接作用在感应器(不锈钢或陶瓷)上，使得薄膜产生与介质压力成比例的微位移，使传感器的电阻值发生变化，利用电子线路探测到这种变化，并转换出与此压力相应的标准测量信号。压力传感器的温度补偿大多数压力传感器的静态特性与环境温度有着密切的联系。实际工作中由于传感器的工作环境温度变化较大．又由于温度变化引起的热输出也较大，这将会带来较大的测量误差；继而影响到压力传感器的静态特性，所以设计中必须采取措施以减少或消除温度变化带来的测量影响。力传感器是把压力的变化转换成电阻值的变化来进行测量的，通常压力传感器输出的微小信号需通过后续的放大器进行放大，再传输给处理电路才能进行压力的检测。其阻值随压力的变化而变化。在传感器的应用中，为使传感器的技术指标及性能不受温度变化影响而采取一系列具体技术措施。称为温度补偿技术。一般传感器都在标准温度(20±5)℃下标定，但其工作环境温度也可能由零下几十摄氏度升到零上几十摄氏度。传感器由多个环节组成。 VP211-14T-H2100压力变送器-天津伟世德由伟世德测控技术（天津）有限公司提供。VP211-14T-H2100压力变送器-天津伟世德是伟世德测控技术（天津）有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：严经理。 产品：伟世德供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
