为了保证化学抛光的效果,必须使金属表面溶解,除磷剂,并在表面上形成液体膜或固体膜。因此,金属的化学抛光液必须具有溶解金属的能力和形成保护膜的能力。化学抛光液的基本组成一般包括腐蚀剂、氧化剂、添加剂和水。腐蚀剂是主要成分,如果零件在溶液中不溶解,抛光就不能进行。氧化剂和添加剂可抑制腐蚀过程,安庆化拋剂,使反应朝有利于抛光的方向进行。水对抛光液浓度起调节作用,便于反应产物的扩散。

上述两种抛光作用是不同的,以钢在磷酸型抛光液中的抛光为例说明。在抛光过程中钢的电极电位和溶解速度随浓度的变化情况如图4-2所示。即随着浓度的增加,钢材的电极电位也逐渐提高,同时溶解速度随之减小。钢的平滑化是由低电位区域的溶解作用形成的,化拋剂厂家,而光泽化则是由高电位区域的溶解作用形成的。钢表面电位的升高是由表面形成的一些稳定的氧化膜固体所致,正是由于这种稳定氧化膜的形成,使零件光泽化。而平滑化可能是由金属离子或溶解生成物的扩散层导致的。

半导体行业CMP技术还广泛的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展,对抛光技术提出了新的要求,传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供“光滑”的表面,但却都是局部平面化技术,化拋剂销售,不能做到全局平面化,而化学机械抛光技术解决了这个问题,它是可以在整个硅圆晶片上平坦化的工艺技术。

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