优点化学抛光的优点是化学抛光设备简单，不需要什么特殊设备，两酸抛光哪家好，只需要一个盛抛光液的玻璃杯和夹持试样的夹子就可以了。如果用细薄磨料片切割的试样，切割后不需要砂纸磨光，即可直接抛光。有些非导体材料也可以用化学抛光，非导体嵌镶的试样也可以直接抛光。化学抛光也可以处理形状比较复杂的零件
缺点1、化学抛光的质量不如电解抛光。2、化学抛光所用溶液的调整和再生比较困难，在应用上受到限制。3、化学抛光操作过程中，散发出大量黄棕色有害气体，对环境污染非常严重。4、抛光溶液的使用寿命短，溶液浓度的调节和再生比较困难
CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM 的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM 的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，两酸抛光配方，CMP通过化学的和机械的综合作用，两酸抛光工艺，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
铝化学抛光技术
一、对铝制品表面进行机械抛光：bbs.cnal.com5z4n6T#]:N8p，F3^
1、机械抛光工序为：粗磨、细磨、抛光、抛亮、喷砂、刷光或滚光等，两酸抛光，根据制表面的粗糙程度来适当采取不同的工序。二、化学除油除膜：6z，R1d3w;%R1w
化学除油除膜过程是借着化学反应和物理化学作用，除去制件表面的油污和自然氧化膜。化学除油除膜一般采用酸性除油除膜剂AC。:b#^#﹨4;b7s2使用条件：
1、浓度：2-7%6d2X)r*MG8M
2、工艺条件：温度：20-30℃时间：2-10min酸洗液的配方：铝业论坛$V:n'e'^2h8L8N3c
浓硝液200~270ML/L铝业论坛;j'{&[%X-b5d
温度：室温时间：1-3min
除去含合金制件表面氧化膜和硅浮灰的酸洗液配方：9R9F9G9r8~9P'i
浓3体积；浓1体积。温度：室温时间：5-15min:r7T0_-a+m1H0u
铝及铝合金制件经化学酸洗后，必须立即用流动温水和冷水清洗，以除去残酸，然后浸入水中，以备化学抛光。
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