光刻胶的未来发展
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由于光刻胶的技术壁垒较高，国内光刻胶市场基本被国外企业垄断。特别是高分辨率的KrF和ArF光刻胶，基本被日本和美国企业占据。
国内光刻胶生产商主要生产PCB光刻胶，面板光刻胶和半导体光刻胶生产规模相对较小。国内生产的光刻胶中，PCB光刻胶占比94%，LCD光刻胶和半导体光刻胶占比分别仅有3%和2%。
国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于国内光刻胶起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。
光刻胶定义
光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，NR9 8000光刻胶哪家好，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，NR9 8000光刻胶多少钱，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，NR9 8000光刻胶公司，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，NR9 8000光刻胶，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，然后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。
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光刻胶的主要技术参数
1．灵敏度（Sensitivity）
灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2．分辨率（resolution）
区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
光刻胶的分辨率是一个综合指标，影响该指标的因素通常有如下3个方面：
(1) 曝光系统的分辨率。
(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
(3) 前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。
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