光刻胶
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1959 年被发明以来就成为半导体工业的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺，成为 PCB 生产的重要材料。
二十世纪 90 年代，光刻胶公司，光刻胶又被运用到平板显示的加工制作，对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。
在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中，光刻胶也起着举足轻重的作用。
总结来说，光刻胶产品种类多、性强，需要长期技术积累，对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求，企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术，光刻胶生产厂家，具有极高的技术壁垒。
光刻胶的参数介绍
1．对比度（Contrast）
对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，光刻胶哪里有，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。
2．粘滞性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。
3．抗蚀性（Anti-etching）
光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。
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光刻胶分类
1、负性光刻胶
主要有聚酸系(聚酮胶)和环化橡胶系两大类，前者以柯达公司的KPR为代表，后者以OMR系列为代表。
2、正性光刻胶
主要以重氮醒为感光化台物，重庆光刻胶，以酚醛树脂为基本材料。的有AZ-1350系列。正胶的主要优点是分辨率高，缺点是灵敏度、耐刻蚀性和附着性等较差。
3、负性电子束光刻胶
为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。 的是COP胶，典型特性:灵敏度0.3~0.4μC/cm^2 (加速电压10KV时)、分辨率1.0um、 对比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻胶在显影时的溶胀。
4、正性电子束光刻胶
主要为甲酯、烯砜和重氮类这三种聚合物。的是PMMA胶，典型特性:灵敏度40~ 80μC/cm^2 (加速电压20KV时)、分辨率0.1μm、 对比度2~3。
PMMA胶的主要优点是分辨率高。主要缺点是灵敏度低，此外在高温下易流动，耐干法刻蚀性差。
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