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9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG硫酸。负胶，98%H2SO4+H2O2+胶=CO+CO2+H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2+胶=CO+CO2+H2O，等离子去胶Oxygenplasma ashing，高频电场O2---电离O- + O+， O+活性基与胶反应CO2，CO， H2O，NR71 3000PY光刻胶厂家，光刻检验
光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，NR71 3000PY光刻胶，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，NR71 3000PY光刻胶价格，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
按感光树脂的化学结构，光刻胶可分为光聚合型光刻胶、光分解型光刻胶和光交联型光刻胶。在应用中，采用不同单体可以形成正、负图案，并可在光刻过程中改变材料溶解性、抗蚀性等。
光聚合型光刻胶
烯类，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合。
光分解型光刻胶
叠氮醌类化合物，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水溶性。
光交联型光刻胶
聚乙烯醇月桂酸酯，在光的作用下，分子中的双键打开，链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构从而起到抗蚀作用。
按曝光波长，NR71 3000PY光刻胶公司，光刻胶可分为紫外（300~450 nm）光刻胶、深紫外（160~280 nm）光刻胶、极紫外（EUV，13.5 nm）光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。
按应用领域，光刻胶可分为PCB 光刻胶、LCD 光刻胶、半导体光刻胶等。PCB 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术的水平。
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