芯片光刻的流程详解（一）
在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephore niepce在各种材料光照实验以后，开始试图复一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，NR73G 6000P光刻胶，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。
Niepce的发明100多年后，即第二次大战期间才应用于制作印刷电路板，NR73G 6000P光刻胶哪里有，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，NR73G 6000P光刻胶厂家，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。
光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：
NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365 nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
Lift-Off工藝
應用領域：LEDs，OLEDs，NR73G 6000P光刻胶价格，displays，MEMS，packaging，biochips。
濕法蝕刻，鍍 干法蝕刻（RIE/Ion Milling/Ion implantation）
附着力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 负性光刻胶
负胶 NR9-3000PY 被设计用于i 线（365
nm）曝光，可使用如步进光刻、扫描投影式光刻、接近式光刻
和接触式光刻等工具。
显影之后，NR9-3000PY 展现出一种倒梯形侧壁，这可以方便地作单纯的LIFT-OFF 处理。
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产品：赛米莱德
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产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单