光刻工艺主要性一
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，NR9 3000P光刻胶，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商的技术。
此外，NR9 3000P光刻胶公司，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与曝光波长、数值孔径和工艺系数相关。
NR77-25000P，RD8
产地
型号
厚度
曝光
应用
加工
特性
Futurrex
美国
NR71-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
用于i线曝光的负胶
LEDOLED、
显示器、
MEMS、
封装、
生物芯片等
金属和介电
质上图案化，
不必使用RIE
加工器件的永
组成
（OLED显示
器上的间隔
区）凸点、
互连、空中
连接微通道
显影时形成光刻胶倒
梯形结构
厚度范围：
0.5～20.0 μm
i、g和h线曝光波长
曝光
对生产效率的影响：
金属和介电质图案化
时省去干法刻蚀加工
不需要双层胶技术
NR71-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR71-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9-100PY
0.7μm~2.1μm
粘度增强
NR9-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY
0.7μm~2.1μm
高温耐受
负胶对 g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY
1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY
2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY
5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY
0.7μm～2.1μm
粘度增强
NR9G-1500PY
1.3μm～3.1μm
NR9G-3000PY
2.8μm～6.3μm
NR9G-6000PY
5.7μm~12.2μm
产地
型号
厚度
耐热温度
应用
Futurrex
美国
PR1-500A
0.4μm～0.9μm
光刻胶存储条件及操作防护
光刻胶是一种可燃液体，NR9 3000P光刻胶多少钱，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后清洗。
个人防护
眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。
皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。
服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。
呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循职业安全健康管理局标准的规定和ANSI美国学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN 149的标准。
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产品：赛米莱德
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单