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主营产品:半导体设备,IGBT动态,静态,可控硅,浪涌,雪崩测试

[供应]可控硅通态压降测试台

更新时间:2023/3/3 11:13:22
可控硅通态压降测试台
主要技术指标:
2.1 门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT
1.阳极电压:12V;
2.阳极串联电阻:6Ω;
3.门极触发电压:0.3~5.00V±3%±10mV;
4.门极触发电流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 维持电流测试单元IH
1. 阳极电压:12V;
2.预导通电流: >10A,正弦衰减波;
3.维持电流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4.测试频率:单次;
2.3 通态压降测试单元VTM
1.平板器件通态电流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2.模块器件通态电流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 电流上升沿时间:≥5ms;
4. 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 测试频率:单次;
2.4 断态电压/断态漏电流VD/ID;反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元
1.阻断电压:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模块单元阻断电压:0.20~4.00kV
2. 正反向自动测试:
3.正/反向漏电流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护。
5. 测试频率: 50HZ
2.5 断态电压临界上升率测试单元dv/dt
1.电压:1200V,1600V,2000V三档,分辨率:1V,精度±5%;
2. 电压过冲范围:<50V±10%
3. DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住电流IL:100-1800mA
2.7 平板夹具压力范围:6-60KN,气动加压方式
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