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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
太阳能发电控制逆变器设计
MCU
样机选用的C8051F330是一款完全集成的混合信号片上系统型MCU，内置高速流水线结构的CIP一51内核、768字节片内RAM和8KB可在系统编程的FLASH存储器、17个I／O端口、带模拟多路器的16通道单端或差分输人10位ADC、温度传感器、可编程的25MHz内部振荡器、4个通用的16位定时器、可编程计数器／定时器阵列（PCA）及其他数字资源。因此，这款芯片可完全满足控制一逆变器的要求。
C8051F330除了具有丰富的数字资源外，还有两个非常有用的特点。一个是SiliconLabs二线（C2）开发接口，它允许使用安装在应用系统上的产品MCU进行非侵入式（不占用片内资源）、全速、在系统调试。另一个是优先权交叉开关译码器，它按照预先设定的优先权，灵活地给片内各数字资源分配端口引脚。此外，C8051系列的芯片与8051完全兼容，因此可以很方便地进行开发和应用。
逆变器工作原理
电压启动回路：ENB为高电平时，输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。
PWM控制器：有以下几个功能组成：内部参考电压、误差放大器、振荡器和PWM、过压保护、欠压保护、短路保护、输出晶体管。
直流变换：由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路，回收闪迪芯片，输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作，使得直流电压对电感进行充放电，这样电感的另一端就能得到交流电压。
LC振荡及输出回路：保证灯管启动需要的1600V电压，并在灯管启动以后将电压降至800V。
输出电压反馈：当负载工作时，反馈采样电压，起到稳定I逆变器电压输出的作用。
薄膜电容器与铝电容器的性能特性
如果在薄膜电容器中出了什么问题，比如电介质击穿或是碰到一个非常高的电流脉冲（高dU/dt），金属化层或是连到金属化层的触点就会被破坏。薄膜电容器会变成开路状态。
如果铝电容器中出了什么问题，结果更难预料。由于电介质击穿导致的接头损坏，表现出来的结果可以是短路、开路，或是中间的什么状态，比如泄漏电流会增加。如果铝电容器过热，而且还连到电源上，其温度会升到电解液的沸点以上，大概能达到200 °C。所产生的内部压力会使泄压装置打开，电解液会流出来，卷绕层会变干。
产品：振鑫焱光伏科技
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单