企业视频展播，请点击播放
视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
车载逆变器产品的主要元器件参数及代换
IRFZ48N为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。IRFZ48N的主要参数指标为：VDss=55V，ID=66A，Ptot=140W，TJ=175℃，RDS(ON)≤16mΩ 。
当IRFZ48N损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N沟道增强型MOS开关管IRF3205进行代换。IRF3205的主要参数为VDss=55V，ID=110A，RDS(ON)≤8mΩ。其市场售价仅为每只3元左右。
IRF740A为TO-220形式封装的N沟道增强型MOS功率开关管。其引脚电极排序1为栅极G、2为漏极D、3为源极S。
IRF740A的主要参数指标为：VDSS=400V ，ID=10A，Ptot=120W ，RDS(ON)≤550mΩ。
当IRF740A损坏无法买到时，可用封装形式和引脚电极排序完全相同的N 沟道增强型MOS 开关管IRF740B、IRF740或IRF730进行代换。IRF740、IRF740B的主要参数与IRF740A完全相同。IRF730的主要参数为VDSS=400V，ID=5.5A，RDS(ON)≤1Ω。其中IRF730的参数虽然与IRF740系列的相比略差，但对于150W以下功率的逆变器来说，其参数指标已经是绰绰有余了。
太阳能电池板的输出不同于一般直流供电设备的输出，其输出I-V特性曲线与光照、温度等环境因素密切相关，工作点的电压电流值在曲线上随负载的变化而变化。为太阳能电池板的输出功率，逆变器往往还需要具有峰值功率功能，保证工作点始终处于I-V曲线上的大功率点附近。对逆变器进行设计、开发与认证的关键是要在不同的环境条件下(即不同的I-V曲线上) 测试验证逆变器的输入输出特性。
测试的主要内容包括：开发和验证逆变器峰值功率跟踪电路(MPPT)算法的性能;
测量和验证逆变器的效率;
验证逆变器在极高和极低输入电压条件下产生的电网电平输出的稳定性;
性能认证测试： 确认不同环境条件下的输出性能;
性能加速寿命测试：仅用几周时间来推算工作数年后的结果;
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的性，这些功率器件也经过钳位电感负载测试。
与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到低。
产品：振鑫焱光伏科技
供货总量：不限
产品价格：议定
包装规格：不限
物流说明：货运及物流
交货说明：按订单