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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
太阳能光伏逆变器
逆变器可采用若干种拓扑结构。其中之一是使用H桥驱动的线性变压器。这是、的方式，它可提供电网和直流前端之间的完全隔离。它还规避了直流电流进入电网的这种应尽力避免的情况发生。不过，单晶组件回收，线性变压器严重的功率损耗会导致低效率，这是这种拓扑结构的缺点；线性变压器的大个头和重量，也是该拓扑的缺陷。
利用输出电感取代笨重的线性变压器是另一种拓扑结构。这种方法在所有拓扑中的效率；与采用线性变压器的逆变器相比，太阳能组件板回收，因输出电感的体积小，库存组件回收，所以这种逆变器要轻得多、也更具成本效益。但其缺点是，不会在电网和光伏电池板间提供任何形式的电气隔离。一些管控条例严格的是不允许使用此类逆变器的。
多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，图木舒克组件回收，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deiTIon）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用FGH30N60LSD器件。它是一颗饱和电压VCE(SAT) 只有1.1V的30A/600V IGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大。因此，这种IGBT可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。FGH30N60LSD IGBT在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。IGBT在这里被用作拓扑开关。在较的转换时则使用常规及恢复超结器件。对于1200V的拓扑及全桥结构，前面提到的FGL40N120AND是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，Stealth II、Hyperfast II 二极管及碳硅二极管是很好的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。
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