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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
2．电解盐水腐蚀法
(1)取一只容量合适的耐腐蚀容器，加入一汤匙和适量的水，以能够完全淹没需腐蚀的敷铜板为准。
(2)在敷铜板上的铜箔部分任意处焊上一截20cm左右长度的焊锡丝作为电解的正电极引线(因为铜导线作电极引线会被腐蚀掉)。如果敷铜板上的铜箔被线路分割为若干部分，则应从每个铜箔部分焊出一条焊锡丝，再将这些焊锡丝连接在一起作为正电极引线。
(3)取一2cm×3cm左右的铜片作为电解的负极板，并焊上一截导线作为负电极引线。
(4)将敷铜板和负极板放入盐水中，注意敷铜板和负极板不能相碰。正、负电极引线接至可调直流电源，如下图所示。从低到高逐渐调高电源电压，当负极板上有水泡产生，敷铜板铜箔部分有黄绿色絮状物(氧化铜)产生，表示电解腐蚀已经开始。
(5)电解腐蚀完毕，及时取出敷铜板并冲洗干净即可。
硅片的工艺
面临挑战：
切割线直径
更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。
荷载
每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。
切割速度
切割台通过切割线切割网的速度，这在很大程度上取决于切割线运动速度，马达功率和切割线拉力。
易于维护性
线锯在切割之间需要更换切割线和研磨浆，维护的速度越快，总体的生产力就越高。
生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。
4， 焰熔法晶块料。
晶块料普遍使用维尔纳叶炉焰熔法Verneuil进行生产，经过振动筛将高纯氧化体慢慢从炉顶筛下，当氧化末在通过高温的氢氧火焰后熔化，熔滴在下落过程中冷却并在种晶上固结逐渐生长形成晶体。
晶块料是白色半透明状的，国内现在很多人士尤其是迷恋它，看上去透明无色以为纯度很高，其实纯度也就3个9. 但它的纯度也值得我们去考究。
生产过程中氢气需要通过不锈钢管道进入到炉体，不锈钢管道的铁、镍、铬、钛等金属离子和其他的金属杂质会随着氢气吹到氧化铝熔融的晶体内。氧化铝的熔化温度是2050度，eve 扫描探针 回收，Fe，Ti，Cr，Mg等元素的熔化温度已经在2200度左右，这些技术杂质气化温度要到达4000度以上，这些金属杂质或者金属氧化物2050度根本不会气化，他们全部都留在晶体内部。氢氧焰只能吹走表面少量较轻的杂质，如镁，钙等，但对里层的杂质毫无作用。
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