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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
测试流程制定
6）再次同步测量环境中太阳辐照度、组件温度及环境气温，确保在IV特性曲线测量期间，辐照度和温度并未发生突变；
7）根据测量数据，计算IV特性曲线上大功率点，填充系数等特征参数，将所有数据打包，存储于SD卡内，本次IV特性曲线扫描结束。
当1组数据测量完成，平台可根据用户设定，控制光伏组件工作于开路、短路或大功率等状态，直到下1次测量开始，可检测光伏组件长期处于特定状态工作性能。
为避免环境辐照度或温度变化对所测IV特性曲线的影响，使所测曲线更加光滑，能否的扫描IV特性曲线至关重要。在上述测量流程中，AD转换器对光伏组件IV特性曲线上每个点同步测量时间约80μs，测量一组IV特性曲线数据需用时约22ms,一般而言，该测量时间内几乎不会出现环境辐照度或温度突变的状况。
在所测数据存入SD卡之后，DSP同时将测量数据封装为UDP包，通过以太网模块，经由测试平台路由器，发送至上位机，上位机在接收到每个UDP包后，都给予接收应答。基于VB.NET编程技术，设计了上位机监控程序，它与DSP通信，并将数据存储于SQLServer数据库内，便于用户对组件户外长期工作性能分析和评估。
硅片可以做什么
CZ硅主要用于二极管、太阳能电池、集成电路，也可作为外延片的衬底，如存储器电路通常使用Cz抛光片，主要是囚为其成本较低。当前CZ硅片直径可控制在3~12英寸之间。MCZ硅和CZ硅用途基本相似，但其性能好于CZ硅。
FZ硅主要用于高压大功率可控整流器件领域，在大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品的芯片中普遍采用。当前FZ硅片直径可控制在3~6英寸之间。
外延硅片主要用于晶体管和集成电路领域，如逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在集成电路制造中有更好的适用性，并具有消除闩锁效应的能力。当前外延片的直径在3~12英寸之间。实际生产中是从成本和性能两方面考虑新用硅片的生产方法和规格的，当前仍是直拉法单晶硅材料应用为广泛。
硅片清洁分类
2.化学清洗
化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。其中双氧水体系清洗方法效果好，环境污染小。一般方法是将硅片先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的强氧化性，将有机物分解而除去；用超纯水冲洗后，再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2：1或5:1：1或7:2：1的碱性清洗液清洗，由于H2O2的氧化作用和NH4OH的络合作用，许多金属离子形成稳定的可溶性络合物而溶于水；然后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2：1或5:2：1的酸性清洗液，由于H2O2的氧化作用和盐酸的溶解，以及氯离子的络合性，许多金属生成溶于水的络离子，从而达到清洗的目的。
示踪原子分析和质谱分析表明，采用双氧水体系清洗硅片效果好，同时所用的全部化学试剂H2O2、NH4OH、HCl能够完全挥发掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片时，在硅片表面会留下约2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一种酸性清洗液时可以完全被清除。用H2O2体系清洗硅片无残留物，有害性小，也有利于工人健康和环境保护。硅片清洗中用各步清洗液处理后，都要用超纯水冲洗。
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