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视频作者：苏州振鑫焱光伏科技有限公司
多晶硅生产流程
（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅， 其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑
（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。把工业硅粉碎并用无水氯化氢（HCl）与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的（SiHCl3）。 其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反应温度为300度，该反应是放热的。同时形成气态混合物（Н2，НС1，SiНС13，SiC14，Si）。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解：过滤硅粉，冷凝SiНС13，SiC14，而气态Н2，НС1返回到反应中或排放到大气中。然后分解冷凝物SiНС13，SiC14，净化（多级精馏）。
（4）净化后的采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。 其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。 这样大约三分之一的发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н2，НС1，SiНС13，SiC14从反应容器中分离。这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
超高速沟道IGBT也提供方形反向偏压工作区、高175℃结温，还可承受4倍的额定电流。为了要显示它们的性，这些功率器件也经过钳位电感负载测试。
与高侧不同，通态耗损支配了低侧IGBT。因为低侧晶体管的工作频率只有60Hz，开关损耗对这些器件来说微不足道。标准速度平面IGBT是特别为低频率和较低通态耗损而设计。所以，随着低侧器件于60Hz进行开关，这些IGBT要通过采用标准速度平面IGBT来达到的低功率耗损水平。因为这些器件的开关损耗非常少，标准速度平面IGBT的总耗散并没有受到其开关耗损所影响。基于这些考虑，标准速度IGBT IRG4BC20SD因此成为低功率器件的选择。一个第四代IGBT与超高速软恢复反向并联二极管协同封装，并且为低饱和电压和低工作频率(<1kHz)进行优化。在10A下的典型Vce(on)为1.4V。针对低正向降及反向漏电流，跨越低侧IGBT的协同封装二极管已经优化了，以在续流和反向恢复期间把损耗降到低。
变频器维护
由于逆变器仅由固态电路元件，它可能被误认为是如果设备免维护但是，在实践中，尤其是在结合转换器和逆变器，转换器的平滑装置的电解电容器是使用寿命有限的部件，随着时间的推移无法避免，将需要更换。在由于故障而导致长期停止的应用中，作为预防性维护，优选以约5至10年的间隔定期更换电解电容器。近年来，具有较小容量的逆变器，例如用于电动机的逆变器，近年来已经减小了尺寸，并且元件通常被风扇强制冷却。因此，期望以2-4年的间隔定期更换风扇。
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