负性SU-8光刻胶旋涂为了创建稍后将成为模具的光刻胶层，我们使用匀胶机进行旋涂，旋转速度、加速度和 SU-8 光刻胶粘度将决定 SU-8 光刻胶层的厚度。要成功执行此步骤，必须采取一些预防措施：确保您的旋涂机完全平整。将晶圆尽可能居中放置在旋涂机卡盘上，以获得ziui佳的涂层分布。出于与晶片相同的原因，将您的光刻胶尽可能地居中。分两步涂覆 SU-8 光刻胶，一个在 10 到 30 秒内以低速和低加速度将光刻胶涂抹在基板上，然后在 30 到 60 秒内以高速和加速第二步以控制层厚度。使用微量移液器分配光刻胶以控制使用的 SU-8 光刻胶数量。 SU-8软烤（光刻胶的第yi次烘烤）软烘烤的目的是蒸发溶剂，使 SU-8 光刻胶更坚固。蒸发会稍微改变层的厚度，并准备好暴露在紫外线下的 SU-8 光刻胶。实际上，PDMS芯片模具，大约 7% 的溶剂量可以实现良好的曝光。这将取决于层的厚度，但请记住，有问题的点将是 SU-8 光刻胶内部的机械应力。为了尽可能地减少这种压力，你必须稍微加热和冷却。使用热板来烘烤 SU-8 光刻胶，它可以让您从晶片的底部到顶部都有热量，从而有利于溶剂蒸发。对于渐进式加热，我们建议您遵循特殊的加热模式，第yi个平台为 65°C，然后第二个平台为 95°C，每个平台的时间取决于 SU-8 光刻胶层的厚度。在此步骤结束时，晶片可以在数周内保持在黑暗和平坦的表面上，然后继续并完成该过程而不会产生严重后果。UV曝光过程曝光的目的是通过ji活光刻胶某些部分中的 PAC（PhotoActiv 组件）来引发交联。这种活化将改变树脂的局部特性，树脂在烘烤后将溶于或不溶于溶剂。由于SU-8是负性光刻胶，这意味着暴露在紫外线下的部分会变硬，而另一部分会在显影过程中溶解。必须仔细选择一些参数：SU-8的曝光波长为365nm。时间取决于层厚和灯的功率。接触模式很重要，如果没有硬接触，您可能会失去一些分辨率，而使用真空接触，您可能会将晶圆粘在掩模上。 北京PDMS芯片模具-顶旭(图)由顶旭（苏州）微控技术有限公司提供。顶旭（苏州）微控技术有限公司是一家从事“微流控芯片定制，微流控芯片加工设备，微流控仪器，表面修饰”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“微流控芯片定制，微流控芯片加工设备，微流控仪器，表面修饰”拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使顶旭在生物制品中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！ 产品：顶旭供货总量：不限产品价格：议定包装规格：不限物流说明：货运及物流交货说明：按订单
