半导体扩散炉
设备用途：用于大规模集成电路、电力电子、光电器件、光导纤维等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺。
设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。
主要技术指标： 炉管数：1～4管
配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)
恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃) 760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)
单点稳定性： ±1.0℃/24h (300～800℃) ±0.5℃/24h (800～1280℃)
气源路数： ≤7路，可配恒温源瓶、氢氧合成点火器
气体控制： 浮子/质量流量计
悬臂舟参数： 速度： 20～1000 mm/min 大行程：2000 mm 定位精度：±1 mm 大载荷：17 Kg
超净工作台： 净化等级：100级（万级厂房）噪音： ≤62dB（A）振动： ≤3μm
