DD540N20K外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。
引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。
如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，
其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，
比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，
都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，
其应用也非常广泛。 二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，
锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，
欧派克二极管
DD89N14K
DD89N16K
DD89N18K
DD98N20K
DD98N22K
DD98N24K
DD98N25K
DD104N12k
DD104N14k
DD104N16k
DD104N18K
DD106N12K
DD106N14K
DD106N16K
DD106N18K
DD106N20K
DD106N22K
DD151N12K
DD151N14K
DD151N16K
DD151N18K
DD151N20K
DD151N22K
DD171N12K
DD171N14K
DD171N16K
DD171N18K
DD175N28K
DD175N30K
DD175N32K
DD175N34K
DD231N20K
DD231N22K
DD231N24K
DD231N26K
DD260N12K
DD260N14K
DD260N16K
DD260N18K
DD261N22K
DD261N24K
DD261N26K
DD285N04K
DD285N06K
DD285N08K
DD350N12K
DD350N14K
DD350N16K
DD350N18K
DD435N28K
DD435N30K
DD435N32K
DD435N34K
DD435N36K
DD435N38K
DD435N40K
DD540N20K
西门康可控硅
型号(半控) 技术指标
SKKH131/12(16)E 130A/1200V(1600V)/2U
SKKH132/12(16)E 130A/1200V(1600V)/2U
SKKH161/12(16)E 160A/1200V(1600V)/2U
SKKH162/12(16)E 160A/1200V(1600V)/2U
SKKH210/12(16)E 210A/1200V(1600V)/2U
SKKH213/12(16)E 230A/1200V(1600V)/2U
SKKH250/12(16)E 250A/1200V(1600V)/2U
SKKH253/12(16)E 250A/1200V(1600V)/2U
SKKH500/12(16)E 500A/1200V(1600V)/2U
型号(半控) 技术指标
SKKl132/12(16)E 130A/1200V(1600V)/2U
SKKL161/12(16)E 160A/1200V(1600V)/2U
SKKL162/12(16)E 160A/1200V(1600V)/2U
SKKL210/12(16)E 210A/1200V(1600V)/2U
SKKL213/12(16)E 210A/1200V(1600V)/2U
SKKL250/12(16)E 250A/1200V(1600V)/2U
SKKL253/12(16)E 250A/1200V(1600V)/2U
SKKL500/12(16)E 500A/1200V(1600V)/2U
IR厂家可控硅模块(IRKT 、IRKH 、IRKL) 系列
型号(全控 两可控硅串联) 技术指标
IRKT26-12(16) 27A/1200V(1600V)/2U
IRKT41-12(16) 40A/1200V(1600V)/2U
IRKT56-12(16) 60A/1200V(1600V)/2U
IRKT71-12(16) 70A/1200V(1600V)/2U
IRKT91-12(16) 95A/1200V(1600V)/2U
IRKT105-12(16) 116A/1200V(1600V)/2U
T70R1A80 70A/800V单相可控硅
T90R1A80 90A/800V单相可控硅
型号(半控 二极管+高端可控硅) 技术指标
IRKH26-12(16) 25A/1200V(1600V)
IRKH41-12(16) 40A/1200V(1600V)
IRKH56-12(16) 55A/1200V(1600V)
IRKH71-12(16) 70A/1200V(1600V)
IRKH91-12(16) 90A/1200V(1600V)
IRKH105-12(16) 105A/1200V(1600V)
IRKH136-12(16) 135A/1200V(1600V)
型号(半控)1个低端可控硅+1个二极管 技术指标
IRKL26-12(16) 27A/1200V(1600V)/2U
IRKL41-12(16) 40A/1200V(1600V)/2U
IRKL56-12(16) 60A/1200V(1600V)/2U
IRKL71-12(16) 75A/1200V(1600V)/2U
IRKL91-12(16) 90A/1200V(1600V)/2U
IRKL105-12(16) 116A/1200V(1600V)/2U
P103W
P105W
P405W
W-35718 90A三单元共阴可控硅
W-35719 200A三单元共阴可控
型号(全控 两可控硅串联) 技术指标
IRKT136-12(16) 135A/1200V(1600V)/2U
IRKT142-12(16) 140A/1200V(1600V)/2U
IRKT162-12(16) 160A/1200V(1600V)/2U
IRKT230-12(16) 230A/1200V(1600V)/2U
IRKT250-12(16) 250A/1200V(1600V)/2U
IRKT330-12(16) 330A/1200V(1600V)/2U
IRKT500-12(16) 500A/1200V(1600V)/2U
型号(半控 二极管+高端可控硅) 技术指标
IRKH142-12(16) 140A/1200V(1600V)
IRKH160-06 160A/600V
IRKH161-12(16) 160A/1200V(1600V)
IRKH180-06 180A/600V
IRKH230-12(16) 230A/1200V(1600V)
IRKH250-12(16) 250A/1200V(1600V)
IRKH500-12(16) 500A/1200V(1600V)
型号(半控)1个低端可控硅+1个二极管 技术指标
IRKL136-12(16) 135A/1200V(1600V)/2U
IRKL142-12(16) 140A/1200V(1600V)/2U
IRKL162-12(16) 160A/1200V(1600V)/2U
IRKL230-12(16) 230A/1200V(1600V)/2U
IRKL250-12(16) 250A/1200V(1600V)/2U
IRKL500-12(16) 500A/1200V(1600V)/2U
P131
P135
P425
P435
P406
