对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：<001>±0.5o；晶面
氧化镁MgO晶体
对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。主要性能参数 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；抛光：单面或双面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）；斜切晶片：可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
氧化镁(MgO)单晶是指MgO含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温（高温2500℃，低温-270℃）抗腐蚀性、绝缘性和良好的导热性和光学性能、无色透明的晶体。氧化镁(MgO)单晶广泛用于航空、航天、国1防通讯、医1疗器械、光学仪器、等离子电视机保护膜蒸发源等领域。在等离子显示屏PDP中更是理想的电板保护膜材料是决定PDP寿命的主要因素，同时对PDP的工作性能(亮度和光效记忆容量着火电压等)有较好影响。
氧化镁（MgO）是离子化合物，同样也是离子晶体，虽然一般来说，原子晶体的熔点的确比离子晶体高，键能较低的原子晶体熔点明显比键能高的离子晶体低。因为氧化镁是由氧离子和镁离子通过离子键结合成的.。对天然菱镁矿的加热得到氧化镁（MgO）,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°C以上,会生长出氧化镁（MgO）晶体。氧化镁（MgO）单晶是非常重要的基片材料和光学材料,在很多领域有重要的应用。
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