电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护
医疗电源高压陶瓷电容器型号
电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。目前，由于钽电容需要被降额使用，高压滤波应用唯1可行的办法是采用体积较大且带引线的电解电容，而不是钽电容。
在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。线路串入电容器后，提高了线路的输电能力，这本身就提高了系统的静稳定。
电容器厂家讲解低压电容器选型的诀窍
电容的选择，通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？我们可以根据以下几个方面进行选择。
1、静电容量；
2、额定耐压；
3、容值误差；
4、直流偏压下的电容变化量；
5、噪声等级；
6、电容的类型；
7、电容的规格。
那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。电容器的作用可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。
电容器的使用寿命
瓷片电容的连续工作电压及环境温度与使用寿命有一定的关系。感应充电器需要具备高击穿电压(VBD)性能，同时，某些应用中还需要防护高压电弧放电。众所周知在电容器介质上的额定工作场强与其它电器相比是比较高的。所以在我国GB/T11024．1-2001中明确规定，陶瓷电容器的额定工作电压是电容器容许在电网中连续工作的较高电压。如果陶瓷电容器在标准规定的额定电压及以下运行，电容器产品90％能可靠地在网上运行20年，如果在高于其额定电压的电压下连续运行，电容器的实际使用寿命就将大大缩短，可靠性也将因电老化而下降。
其次，瓷片电容的使用寿命长短与环境温度有关系,在其允许较低温度的温度下投入运行，很可能会在电容器内部引发局部放电，从而加速其电老化而降低电容器的实际使用寿命。在使用将交流转换为直流供电的电子电路中，滤波电容不仅使电源直流输出平稳，降低了交变脉动波纹对电子电路的影响，同时还可吸收电子电路工作过程中产生的电流波动和经由交流电源串入的干扰，使得电子电路的工作性能更加稳定。而另一方面，如果电容器长期在高于其较高允许的温度下运行，又会加速电容器的热老化。因而一方面要选用其温度类别与实际的运行环境温度相适应的电容器。
瓷片电容的使用寿命长短是与诸多因素有关的。以上所介绍的是重要的两个因素，因此想要延长或者是保障其使用寿命，必须要保障这两个参数符合电容器的实际参数。
（作者： 来源：）
