三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J
大功率IGBT测试仪价格
三、华科智源IGBT测试仪系统特征：
A：测量多种IGBT、MOS管
B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；本技术规范所使用的标准如遇与供货方所执行的标准不一致时，应按较高标准执行。
C：脉冲宽度 50uS~300uS
D：Vce测量精度2mV
E：Vce测量范围>10V
F：电脑图形显示界面
G：智能保护被测量器件
H：上位机携带数据库功能
I：MOS IGBT内部二极管压降
J : 一次测试IGBT全部静态参数
K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
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