金属表面处理密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则
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金属表面处理密度大也使Cu／W具有对空间辐射总剂量(TID)环境的优良屏蔽作用，因为要获得同样的屏蔽作用，使用的铝厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金属封装材料及其应用除了Cu／W及Cu／Mo以外，传统金属封装材料都是单一金属或合金，它们都有某些不足，难以应对现代封装的发展。金属封装外壳此外密度较大，不适合航空、航天用途。假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，则密封性无法得到确保，危害封装特性。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。铜、铝纯铜也称之为无氧高导铜(OFHC)，电阻率1．72μΩ·cm，仅次于银。它的热导率为401W(m-1K-1)，从传热的角度看，作为封装壳体是非常理想的，可以使用在需要高热导和／或高电导的封装里，然而，它的CTE高达16．5×10-6K-1，可以在刚性粘接的陶瓷基板上造成很大的热应力。
金属表面处理CNC与压铸结合就是先压铸再利用CNC精加工。工艺优缺点：CNC工艺的成本比较高，材料浪费也比较多，当然这种工艺下的中框或外壳质量也好一些。非常好的导热性，提供热耗散；③非常好的导电性，减少传输延迟；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤较低的密度，足够的强度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可镀覆性、可焊性和耐蚀性，以实现与芯片、盖板、印制板的可靠结合、密封和环境的保护；⑦较低的成本。传统金属封装材料包括Al、Cu、Mo、W、钢、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等国内外已广泛生产并用在大功率微波管、大功率激光二极管和一些大功率集成电路模块上。由于Cu-Mo和Cu-W之间不相溶或浸润性极差，况且二者的熔点相差很大，给材料制备带来了一些问题；如果制备的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，则气密性得不到保证，影响封装性能。金属表面处理如美国SCM金属制品公司的Glidcop含有99．7％的铜和0．3％弥散分布的Al2O3。另一个缺点是由于W的百分含量高而导致Cu／W密度太大，增加了封装重量。
金属表面处理此外密度较大，不适合航空、航天用途。1．3 钢10号钢热导率为49．8 W(m-1K-1)，大约是可伐合金的三倍，它的CTE为12．6×10-6K-1，与陶瓷和半导体的CTE失配，可与软玻璃实现压缩封接。不锈钢主要使用在需要耐腐蚀的气密封装里，不锈钢的热导率较低，如430不锈钢(Fe-18Cr，牌号4J18)热导率仅为26．1 W(m-1K-1)。金属封装材料为完成对集成ic支撑点、电联接、热耗散、机械设备和自然环境的维护，应具有下列的规定：①与集成ic或陶瓷基板配对的低热膨胀系数,降低或防止焊接应力的造成。金属封装外壳压铸的原则就是不浪费，节省时间和成本，但是不利于后期的阳极氧化工艺，还可能留下沙孔流痕等等影响质量和外观的小问题，当然，厂商们都有一个良品率的概念，靠谱的厂商是不会让这些次品流入到后面的生产环节中去的。这种材料已在金属封装中得到广泛使用，如美国Sinclair公司在功率器件的金属封装中使用Glidcop代替无氧高导铜作为底座。美国Sencitron公司在TO-254气密金属封装中使用陶瓷绝缘子与Glidcop引线封接。
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