电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。串接在线路中的电容器，其容抗xc补偿线路的感抗xl，使线路的电压降落减少，从而提高线路末端（受电端）的电压，可将线路末端电压1大可提高10%～20%。跨接在功率半导体器件两端的
静电除尘高压陶瓷电容器厂
电容器在电源中的应用之浪涌电压保护
可靠性高，体积小，充放电寿命长，电压高达150kV，放电电流大，介质损耗＜0.1%。
开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。串接在线路中的电容器，其容抗xc补偿线路的感抗xl，使线路的电压降落减少，从而提高线路末端（受电端）的电压，可将线路末端电压1大可提高10%～20%。跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。
在额定电压值高达2000VDC的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。成形工艺中对多道工序进行了改进：降低了成形加工过程中产生的机械应力集中，降低了电容成形过程中电解液的局部过热，提高了电介质成形过程中电解液浓度和纯度的一致性。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。
电容器厂家讲解低压电容器选型的诀窍
电容的选择，通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？我们可以根据以下几个方面进行选择。
1、静电容量；
2、额定耐压；
3、容值误差；
4、直流偏压下的电容变化量；
5、噪声等级；
6、电容的类型；
7、电容的规格。
那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。所以在我国GB/T11024．1-2001中明确规定，陶瓷电容器的额定工作电压是电容器容许在电网中连续工作的较高电压。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。
高压陶瓷电容器
高压陶瓷电容器,顾名思义,是以介电陶瓷为核心材料的环氧树脂灌封的电容器.随着时代有进步与科技发展,高压陶瓷电容器主要是指交流工作电压10KV以上的电容器,或者直流工作电压达到40KV以上的陶瓷电容器.(以往通常把250V或400V的Y电容也划分为高压陶瓷电容器.)
（作者： 来源：）
