单光子探测电路设计
基于门控制模式的雪崩抑制方法,对工作波长为1.31μm的单光子探测器件InGaAs/InP雪崩光电二极管的高压电源和单光子信号检测电路进行了设计,同时对设计中所涉及的关键问题进行了分析。想要了解更多型号的单光子探测仪,请拨打图片上的电话与我们联系。通过巧妙设计脉冲发生器的单稳态电路等效地实现了直流电平叠加脉冲的'光子门',通过使用跨阻前置放大器和精密比
单光子检测器生产厂家
单光子探测电路设计
基于门控制模式的雪崩抑制方法,对工作波长为1.31μm的单光子探测器件InGaAs/InP雪崩光电二极管的高压电源和单光子信号检测电路进行了设计,同时对设计中所涉及的关键问题进行了分析。想要了解更多型号的单光子探测仪,请拨打图片上的电话与我们联系。通过巧妙设计脉冲发生器的单稳态电路等效地实现了直流电平叠加脉冲的'光子门',通过使用跨阻前置放大器和精密比较甄别器等能在一定程度上提高探测的灵敏度。
北京和力达科技有限公司成立于2012年,自成立至今已为多家企业提供了产品以及产品定制服务,欢迎拨打图片上的热线电话与我们联系。
光电探测器的历史发展
1873年,英国发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。但单光子探测系统极高的探测灵敏度,即使对F-22、B-2这样的隐身飞机,作用距离也可达到几百到几千公里,可在极远距离上发现隐身飞机,使其“无处遁形”。随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硒化镉光敏电阻和红外波段光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。
以上内容由北京和力达科技有限公司为您提供,今天我们来分享光电探测器的相关内容,希望对同行业的朋友有所帮助!

单光子探测器探测方法
生物发光:
生物发光是一种微弱的准连续光子辐射现象。利用单光子探测技术能对生物发光进行有效探测,可用于分析生物体内特别体系的功能以及细胞的代谢或破坏过程,还能有效的推动现代医学对于脑功能和基因工程的研究。
以上就是为大家介绍的全部内容,希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多单光子探测器的知识,欢迎拨打图片上的热线联系我们。
(作者: 来源:)