光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。下游发展趋势光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素
负性光刻胶厂家
光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。下游发展趋势光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。
市场
目前，光刻胶单一产品市场规模与海外巨头公司营收规模相比较小，光刻胶仅为大型材料厂商的子业务。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。
由于光刻胶产品技术要求较高，光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，其核心技术基本被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公司，包括陶氏化学、JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。
而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应，从而使正光刻胶被照射区域（感光区域）、负光刻胶未被照射的区域（非感光区）化学成分发生变化。
Futurrex
提供化学技术的多样化解决方案
成立于1985年,总部设在美国新泽西州，富兰克林市,高速成长并超过20年连续盈利的跨国公司
公司业务覆盖范围包括北美，亚太以及欧洲
基于多样化的技术
应用领域：微电子、光电子、LED、太阳能光伏、微机电系统、生物芯片、微流体、平面印刷
解决方案：的光刻胶、掺杂涂层、平坦化涂层、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻挡层(Barrior Layere)、湿法制程
客户：从财富100强到以风险投资为背景的设备研发及制造公司
使命
目标
提供特殊化学品和全新工艺来增加客户的产能
策略
提供的产品来优化生产制程，以提高设备能效
领的技术提升生产过程中的整体性价比
工艺步骤的减少降低了成本和产生瑕疵的可能
增加客户的产能和生产的效率
工艺减化
非同寻常的显微构造、金属及介电层上的图形转换、光刻、平坦化、掺杂、蚀刻、邦定
在生产过程中，不含有害溶剂
支持所有客户的需要，与客户共创成功
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