若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体
五金真空镀膜设备
若将反应气体导入蒸发空间，便可在工件表面沉积金属化合物涂层，这就是反应性离子镀。由于采用等离子活化，工件只需在较低温度甚至在室温下进行镀膜，完全保证零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序进行。如沉积TiN或TiC时，基体温度可以在150-600℃范围内选择，温度高时涂层的硬度高，与基体的结合力也高。基体温度可根据基体材料及其回火温度选择，如基体为高速钢，可选择560℃，这样，对于经淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，无需担心基体硬度降低及变形问题。另外，离子镀的沉积速度较其他气相沉积方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂层，一般只需要几十分钟。
CVD 制备铱高温涂层人们之所以对作涂层材料感兴趣是由于这类金属优良的性能 。铱具有较强的能力和较高的熔点而受到重视, 是一种较理想的高温涂层材料 。
20 世纪 60 年代以来, 世界航空航天技术飞速发展,一些高熔点材料(如石墨碳和钨钼钽铌等难熔金属)被大量使用,但这些材料的一个共同的致命缺点是能力差。
60 年代美国材料实验室(AFML)对石墨碳的铱保护涂层进行过大量的研究, 采用了多种成型方法制备铱涂层 ,其中包括化学气相沉积法 。虽然没有制备出质量令人满意的厚铱涂层, 但仍认为 CVD 是一种非常有希望且值得进一步研究的方法。
PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。
五金真空镀膜设备PCVD技术具有沉积温度低，沉积速率快，绕镀性好，薄膜与基体结合强度好，设备操纵维护简单等优点，用PCVD法调节工艺参数方便灵活，轻易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构，沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等膜，同时，PCVD法还拓展了新的低温沉积领域，例如，用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制备纳米陶瓷薄膜的特点是：产品的杨氏模量、抗压强度和硬度都很高，性好，化学性能稳定，性和腐蚀性好，有较高的高温强度。
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