经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
蚀刻：一种将材料使用bai化学反应或物理撞击作用而du移除的技术。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
曝光显影加工
经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。
蚀刻：一种将材料使用bai化学反应或物理撞击作用而du移除的技术。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，指通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工；经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。1、蚀刻：利用蚀刻液与bai铜层反应，蚀去线路板上不需要du的铜，得到zhi所要求的线路。
2、曝光dao：经光源作用将原始底片上的图像转移到感光底板（即PCB）上。
3、显影：通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。
实际曝光bai能量需根据干膜种类、厚度du或油墨种类/厚度/烘烤时间确定，正常线路曝光使zhi用能量40 -- 120mj/cm2，油墨曝光能dao量150-500mJ/cm2，具体以曝光尺为准；线路曝光尺5 --8格，油墨的曝光尺做到9--13格。
曝光时必须抽真空充分，以免曝光不良，一般要求650mmHg以上真空度；
显影时，显影点控制在50 --70%以内，压力1.5--2.0kg/cm2。
曝光过度会导致显影不净；曝光能量不足会导致显影过度。
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