化学气相沉积（Chemical Vapor Deition,简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。
镀膜机工艺在平板显现器中的运用一切各类平板显现器都要用到各品种型的薄膜，并且简直一切类型的平板显现器材都需求运用
电子真空镀膜设备
化学气相沉积（Chemical Vapor Deition,简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。
镀膜机工艺在平板显现器中的运用一切各类平板显现器都要用到各品种型的薄膜，并且简直一切类型的平板显现器材都需求运用ITO膜，以满意通明电器的请求。能够毫不夸张的说：没有薄膜技能就没有平板显现器材。
物理气相沉积是真空条件下采用物理方法把欲涂覆物质沉积在工件表面上形成膜的过程，通常称为PVD法。在进行PVD处理时，工件的加热温度一般都在600℃以下，这对于用高速钢、合金模具加工钢及其他钢材制造的模具加工都具有重要意义。目前，常用的有三种物理气相沉积方法，即真空蒸镀、溅射镀膜和离子镀，其中，离子镀在模具加工制造中的应用较广。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
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PCVD工艺具有广泛的用途。
（1）超硬膜的应用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形复杂、面积大的工件上获得超硬膜，沉积速率可达4～10μm/h，硬度大于2000HV，绕镀性好，工件不需旋转就可得到均匀的镀层。大量应用于切削刀具、磨具和零件。
（2）半导体元件上尽缘膜的形成过往半导体元件上的尽缘膜大多用SiO2，现在用SiN4+H2用PCVD法来形成Si3N4，Si3N4的尽缘性、性、耐酸性、耐碱性，比SiO2强，从电性能及其掺杂效率来讲都是的，特别是当前的高速元件GaAs尽缘膜的形成，高温处理是不可能的，只能在低温下用等离子法进行沉积。
对于需要更高的表面形态质量的应用（对于粗糙度，晶粒尺寸，化学计量和其他要求比沉积速率更重要的应用），溅射工艺似乎是一种替代方法。由于在冷却过程中随着温度或基材（聚合物）熔化温度的降低而产生的应力，沉积过程对某些应用提出了温度限制。这导致溅射工艺在PVD沉积技术中变得更加重要，同时又不会忘记基于溅射工艺的新技术的出现，以满足不断增长的市场需求。
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